Справочник MOSFET. MMN4942DY

 

MMN4942DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN4942DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21.16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123.14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MMN4942DY

 

 

MMN4942DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  m-mos
 mmn4942dy.pdf

MMN4942DY MMN4942DY

MMN4942DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 40VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2

 8.1. Size:158K  m-mos
 mmn4946bey.pdf

MMN4942DY MMN4942DY

MMN4946BEYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top