MMN4946BEY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN4946BEY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157.26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MMN4946BEY datasheet

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MMN4946BEY

MMN4946BEY Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 60V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N

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MMN4946BEY

MMN4942DY Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 40V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2

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