MMN4946BEY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN4946BEY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 157.26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMN4946BEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4946BEY даташит

 ..1. Size:158K  m-mos
 mmn4946bey.pdf pdf_icon

MMN4946BEY

MMN4946BEY Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 60V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N

 8.1. Size:158K  m-mos
 mmn4942dy.pdf pdf_icon

MMN4946BEY

MMN4942DY Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 40V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2

Другие IGBT... MMN4418, MMN4422, MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, IRF1010E, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03