Справочник MOSFET. MMN4946BEY

 

MMN4946BEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN4946BEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157.26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMN4946BEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4946BEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  m-mos
 mmn4946bey.pdf pdf_icon

MMN4946BEY

MMN4946BEYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N

 8.1. Size:158K  m-mos
 mmn4942dy.pdf pdf_icon

MMN4946BEY

MMN4942DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 40VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2

Другие MOSFET... MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , IRF530 , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 .

History: PH7030AL | CS5N70FA9 | 8N80G-TF2-T | QM2423V | INJ0312AC1 | 8N80L-TF3-T | TSM4886CS

 

 
Back to Top

 


 
.