MMN55N03 Todos los transistores

 

MMN55N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN55N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330.55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MMN55N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  m-mos
 mmn55n03.pdf pdf_icon

MMN55N03

MMN55N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 9mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for DC/DC Converters and Motor DriversFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentIm

Otros transistores... MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , AON7506 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 .

History: TPC8213-H | SM6A22NSU | FDP8N50NZU | SWB076R68E7T | IPAW70R600CE | BRS1N60 | PK501BA

 

 
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