MMN55N03 - аналоги и даташиты транзистора

 

MMN55N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMN55N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330.55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN55N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN55N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  m-mos
 mmn55n03.pdf pdf_icon

MMN55N03

MMN55N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 9mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for DC/DC Converters and Motor DriversFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentIm

Другие MOSFET... MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , IRF1407 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 .

History: FDMC7664 | NVHL040N65S3F | HM3207D | APT1201R5SVFR | IPB60R170CFD7 | RRR015P03 | FDMC7692

 

 
Back to Top

 


 
.