MMN55N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN55N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330.55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN55N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN55N03 даташит

 ..1. Size:329K  m-mos
 mmn55n03.pdf pdf_icon

MMN55N03

MMN55N03 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 6m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 9m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Im

Другие IGBT... MMN4422, MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, IRFB3607, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205