MMN55N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMN55N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.8 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 330.55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MMN55N03 Datasheet (PDF)
mmn55n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMN55N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 9mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for DC/DC Converters and Motor DriversFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentIm
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![MMN55N03](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MMN55N03](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MMN55N03](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C