Справочник MOSFET. MMN55N03

 

MMN55N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN55N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330.55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN55N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN55N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  m-mos
 mmn55n03.pdf pdf_icon

MMN55N03

MMN55N03Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong LimitedN-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 9mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for DC/DC Converters and Motor DriversFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentIm

Другие MOSFET... MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , AON7506 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 .

History: UFZ24NL-TN3 | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.