MMN60NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN60NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MMN60NF06 datasheet

 ..1. Size:146K  m-mos
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MMN60NF06

MMN60NF06 Data Sheet M-MOS Semiconductor Sdn. Bhd. 60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 60V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top V

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MMN60NF06

MMN600DB015B 150V 600A N-ch Power MOSFET Module April 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m @VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside APPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverter VDS ID RDS(ON)

 9.2. Size:433K  macmic
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MMN60NF06

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Otros transistores... MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, AON6380, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218