MMN60NF06 Todos los transistores

 

MMN60NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN60NF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MMN60NF06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MMN60NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  m-mos
 mmn60nf06.pdf pdf_icon

MMN60NF06

MMN60NF06Data SheetM-MOS Semiconductor Sdn. Bhd.60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

 9.1. Size:312K  macmic
 mmn600db015b.pdf pdf_icon

MMN60NF06

MMN600DB015B150V 600A N-ch Power MOSFET ModuleApril 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m@VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverterVDS ID RDS(ON)

 9.2. Size:433K  macmic
 mmn600db012b.pdf pdf_icon

MMN60NF06

8879::;

Otros transistores... MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , AON7506 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 .

History: IRHM7064 | CM7N60F | BLF7G22L-200 | 18P10F | 2SK2088 | IPA029N06N | D7N70

 

 
Back to Top

 


 
.