MMN60NF06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN60NF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 279.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MMN60NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN60NF06 даташит

 ..1. Size:146K  m-mos
 mmn60nf06.pdf pdf_icon

MMN60NF06

MMN60NF06 Data Sheet M-MOS Semiconductor Sdn. Bhd. 60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 60V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top V

 9.1. Size:312K  macmic
 mmn600db015b.pdf pdf_icon

MMN60NF06

MMN600DB015B 150V 600A N-ch Power MOSFET Module April 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m @VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside APPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverter VDS ID RDS(ON)

 9.2. Size:433K  macmic
 mmn600db012b.pdf pdf_icon

MMN60NF06

8879 ;

Другие IGBT... MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, AON6380, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218