MMN65N03 Todos los transistores

 

MMN65N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN65N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 561.81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MMN65N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  m-mos
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MMN65N03

MMN65N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@45A = 5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 7.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Otros transistores... MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , AO4407 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 .

History: 2SK846 | AIMW120R045M1 | AUIRFB4110 | CSD17579Q5A | IPA60R280E6 | WFF13N50 | TPW60R120MFD

 

 
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