MMN65N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN65N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.92 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 561.81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MMN65N03 datasheet

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MMN65N03

MMN65N03 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@45A = 5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 7.5m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D-PAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top V

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