Справочник MOSFET. MMN65N03

 

MMN65N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN65N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 561.81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN65N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  m-mos
 mmn65n03.pdf pdf_icon

MMN65N03

MMN65N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@45A = 5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 7.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AUIRFZ24NS | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.