Справочник MOSFET. MMN65N03

 

MMN65N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN65N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 561.81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN65N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN65N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  m-mos
 mmn65n03.pdf pdf_icon

MMN65N03

MMN65N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@45A = 5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@30A = 7.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentD-PAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Другие MOSFET... MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , AO4407 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 .

History: 2SK3132 | AO4407C

 

 
Back to Top

 


 
.