MMN6680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN6680

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205.32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MMN6680 datasheet

 ..1. Size:201K  m-mos
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MMN6680

MMN6680 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram T

 8.1. Size:638K  macmic
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MMN6680

MMN668A010U1 100V 668A N-ch Power MOSFET Module May 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency DC

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