MMN6680. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN6680

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205.32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMN6680

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN6680 даташит

 ..1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN6680

MMN6680 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram T

 8.1. Size:638K  macmic
 mmn668a010u1.pdf pdf_icon

MMN6680

MMN668A010U1 100V 668A N-ch Power MOSFET Module May 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency DC

Другие IGBT... MMN4446, MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, CS150N03A8, MMN6968E, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804