Справочник MOSFET. MMN6680

 

MMN6680 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN6680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205.32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMN6680

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN6680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN6680

MMN6680Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramT

 8.1. Size:638K  macmic
 mmn668a010u1.pdf pdf_icon

MMN6680

MMN668A010U1100V 668A N-ch Power MOSFET ModuleMay 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency DC

Другие MOSFET... MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , IRLB4132 , MMN6968E , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 .

History: PSMN012-100YS | TK40X10J1 | TSF50N06M | NP84N075MUE | IPP60R299CP | PPMT12V4 | SWK110R06VT

 

 
Back to Top

 


 
.