MMN6968E Todos los transistores

 

MMN6968E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN6968E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 899.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMN6968E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn6968e.pdf pdf_icon

MMN6968E

MMN6968EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery packs useDesigned for battery s

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | RQK0608BQDQS | MRF5003 | AONS36316 | 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3

 

 
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