MMN6968E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN6968E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 899.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MMN6968E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MMN6968E datasheet

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn6968e.pdf pdf_icon

MMN6968E

MMN6968E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for Li ion battery packs use Designed for battery s

Otros transistores... MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, NCEP15T14, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E