MMN6968E Todos los transistores

 

MMN6968E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN6968E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 899.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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MMN6968E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  m-mos
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MMN6968E

MMN6968EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery packs useDesigned for battery s

Otros transistores... MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , IRFP450 , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 , MMN8818E .

History: AP95T06GS | WMO90R500S | KF50N06P | AP4428GM | UPA1950 | IRF152 | AP6C072M

 

 
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