MMN6968E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN6968E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 899.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для MMN6968E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN6968E даташит

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn6968e.pdf pdf_icon

MMN6968E

MMN6968E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for Li ion battery packs use Designed for battery s

Другие IGBT... MMN45N03, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, NCEP15T14, MMN7230, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E