MMN6968E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMN6968E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 899.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MMN6968E Datasheet (PDF)
mmn6968e.pdf

MMN6968EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery packs useDesigned for battery s
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STF2454A
History: STF2454A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet