MMN6968E - аналоги и даташиты транзистора

 

MMN6968E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMN6968E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 899.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для MMN6968E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN6968E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn6968e.pdf pdf_icon

MMN6968E

MMN6968EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery packs useDesigned for battery s

Другие MOSFET... MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , NCEP15T14 , MMN7230 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 , MMN8818E .

History: CJP10N65 | IRFH5306PBF

 

 
Back to Top

 


 
.