Справочник MOSFET. MMN6968E

 

MMN6968E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN6968E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 899.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для MMN6968E

 

 

MMN6968E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  m-mos
 mmn6968e.pdf

MMN6968E MMN6968E

MMN6968EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 6.5A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.5A = 24mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery packs useDesigned for battery s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVG036R5NL2 | SVS11N60KD2

 

 
Back to Top