MMN7230 Todos los transistores

 

MMN7230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN7230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MMN7230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  m-mos
 mmn7230.pdf pdf_icon

MMN7230

MMN7230Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top

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History: IRFU540ZPBF | BL23N50-W

 

 
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