MMN7230. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN7230

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MMN7230

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN7230 даташит

 ..1. Size:138K  m-mos
 mmn7230.pdf pdf_icon

MMN7230

MMN7230 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top

Другие IGBT... MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, AON7506, MMN7402, MMN75N03, MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, MMN8818N