Справочник MOSFET. MMN7230

 

MMN7230 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN7230
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMN7230

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN7230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  m-mos
 mmn7230.pdf pdf_icon

MMN7230

MMN7230Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top

Другие MOSFET... MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , IRFP250 , MMN7402 , MMN75N03 , MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 , MMN8818E , MMN8818N .

History: BS170 | IGO60R070D1 | GC11N70F | IRFN130SMD | 2SK2080-01 | MMN45N03 | IRFU3518

 

 
Back to Top

 


 
.