MMN9926BDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN9926BDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.92 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159.36 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
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MMN9926BDY datasheet
mmn9926bdy.pdf
MMN9926BDY Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 S
mmn9926e.pdf
MMN9926E Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate 2000V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for Li ion battery pac
mmn9926.pdf
MMN9926 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications TSSOP-08 SO-8 Internal Sche
Otros transistores... MMN8205, MMN8218, MMN8220, MMN8804, MMN8818E, MMN8818N, MMN8822, MMN9926, 5N60, MMN9926E, MMP2301, MMP2311, MMP2323, MMP3401, MMP3415E, MMP3443, MMP4353
History: SQ2348ES | IRFD9020PBF | R6012ANJ
🌐 : EN ES РУ
Liste
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