Справочник MOSFET. MMN9926BDY

 

MMN9926BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN9926BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159.36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8 TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для MMN9926BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN9926BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  m-mos
 mmn9926bdy.pdf pdf_icon

MMN9926BDY

MMN9926BDYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 S

 7.1. Size:201K  m-mos
 mmn9926e.pdf pdf_icon

MMN9926BDY

MMN9926EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery pac

 7.2. Size:205K  m-mos
 mmn9926.pdf pdf_icon

MMN9926BDY

MMN9926Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 SO-8 Internal Sche

Другие MOSFET... MMN8205 , MMN8218 , MMN8220 , MMN8804 , MMN8818E , MMN8818N , MMN8822 , MMN9926 , 13N50 , MMN9926E , MMP2301 , MMP2311 , MMP2323 , MMP3401 , MMP3415E , MMP3443 , MMP4353 .

History: PMPB20XPEA | JMSH0804NG | P1850EF | KP751V1 | DMN67D8LW | TD304BH | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.