MMN9926BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMN9926BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.7 nC
Время нарастания (tr): 4.92 ns
Выходная емкость (Cd): 159.36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8 TSSOP-8
Аналог (замена) для MMN9926BDY
MMN9926BDY Datasheet (PDF)
mmn9926bdy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMN9926BDYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8.2A = 20mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.3A = 30mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 S
mmn9926e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMN9926EData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20V ID= 8A ESD Protected Gate: 2000VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@8A = 21mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@7A = 25mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@6A = 33mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSpecially Designed for Li ion battery pac
mmn9926.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMN9926Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityIdeal for Li ion battery pack applicationsTSSOP-08 SO-8 Internal Sche
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![MMN9926BDY](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MMN9926BDY](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MMN9926BDY](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C