MMP6465 Todos los transistores

 

MMP6465 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMP6465
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26.72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1578.48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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MMP6465 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  m-mos
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MMP6465

MMP6465 Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -12VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.8A = 12mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-7.4A = 17mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-6.0A = 25mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal Sche

 8.1. Size:149K  m-mos
 mmp6463.pdf pdf_icon

MMP6465

MMP6463Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7.4A = 15.0mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-6.3A = 20.0mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-5.5A = 27.0mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceIdeal for battery multiplexing applicationsTSSOP-8 Internal

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History: IXFV22N50PS | AP4002H

 

 
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