MMP6465 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMP6465

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1578.48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MMP6465 datasheet

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MMP6465

MMP6465 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -12V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.8A = 12m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-7.4A = 17m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-6.0A = 25m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal Sche

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MMP6465

MMP6463 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7.4A = 15.0m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-6.3A = 20.0m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-5.5A = 27.0m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal

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