MMP6465. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMP6465

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1578.48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для MMP6465

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP6465 даташит

 ..1. Size:148K  m-mos
 mmp6465.pdf pdf_icon

MMP6465

MMP6465 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -12V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-8.8A = 12m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-7.4A = 17m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-6.0A = 25m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal Sche

 8.1. Size:149K  m-mos
 mmp6463.pdf pdf_icon

MMP6465

MMP6463 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7.4A = 15.0m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-6.3A = 20.0m RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-5.5A = 27.0m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for battery multiplexing applications TSSOP-8 Internal

Другие IGBT... MMP60R190PTH, MMP60R195PCTH, MMP60R290PCTH, MMP60R290PTH, MMP60R360PTH, MMP60R580PTH, MMP60R750PTH, MMP6463, EMB04N03H, MMP65R190PTH, MMP6965, MMP6967, MMP6975, MMP7245, MMP7277, MMP7401, MMP9435