MPF960 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPF960
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 49 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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MPF960 Datasheet (PDF)
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPF930/DTMOS SwitchingMPF930NChannel Enhancement3 DRAINMPF960MPF9902GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 UnitDrainSource Voltage VDS 35 60 90 VdcDrainGate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 123GateSource Voltage Continuous VGS 20 VdcCASE 2905, STYLE 22
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
