MPF960 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPF960

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO-92

 Búsqueda de reemplazo de MPF960 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MPF960 datasheet

 ..1. Size:83K  motorola
 mpf930 mpf960 mpf990.pdf pdf_icon

MPF960

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPF930/D TMOS Switching MPF930 N Channel Enhancement 3 DRAIN MPF960 MPF990 2 GATE 1 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 Unit Drain Source Voltage VDS 35 60 90 Vdc Drain Gate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 1 2 3 Gate Source Voltage Continuous VGS 20 Vdc CASE 29 05, STYLE 22

 ..2. Size:82K  njs
 mpf930 mpf960 mpf990.pdf pdf_icon

MPF960

Otros transistores... SM7580NSFH, SM8007NSF, SM8008NSU, SM8206ACT, MPF6659, MPF6660, MPF6661, MPF930, 60N06, MPF990, VEC2315, VEC2616, VN0104N2, VN0104N3, VN0104N5, VN0104N6, VN0104N7