MPF960. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPF960

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для MPF960

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF960 даташит

 ..1. Size:83K  motorola
 mpf930 mpf960 mpf990.pdf pdf_icon

MPF960

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPF930/D TMOS Switching MPF930 N Channel Enhancement 3 DRAIN MPF960 MPF990 2 GATE 1 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol MPF930 MPF960 MPF990 Unit Drain Source Voltage VDS 35 60 90 Vdc Drain Gate Voltage VDG 35 60 90 Vdc 1 2 3 Gate Source Voltage Continuous VGS 20 Vdc CASE 29 05, STYLE 22

 ..2. Size:82K  njs
 mpf930 mpf960 mpf990.pdf pdf_icon

MPF960

Другие IGBT... SM7580NSFH, SM8007NSF, SM8008NSU, SM8206ACT, MPF6659, MPF6660, MPF6661, MPF930, 60N06, MPF990, VEC2315, VEC2616, VN0104N2, VN0104N3, VN0104N5, VN0104N6, VN0104N7