VEC2315 Todos los transistores

 

VEC2315 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VEC2315
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.137 Ohm
   Paquete / Cubierta: VEC8
 

 Búsqueda de reemplazo de VEC2315 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VEC2315 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  onsemi
vec2315.pdf pdf_icon

VEC2315

Ordering number : EN8699AVEC2315P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 2.5A, 137m , Dual VEC8Features ON-resistance RDS(on)1=105m (typ.) 4V drive High-density mounting Protection diode in Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS -

Otros transistores... SM8008NSU , SM8206ACT , MPF6659 , MPF6660 , MPF6661 , MPF930 , MPF960 , MPF990 , IRFP064N , VEC2616 , VN0104N2 , VN0104N3 , VN0104N5 , VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND .

History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195

 

 
Back to Top

 


 
.