VEC2315. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VEC2315

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.137 Ohm

Тип корпуса: VEC8

Аналог (замена) для VEC2315

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VEC2315 даташит

 ..1. Size:234K  onsemi
 vec2315.pdf pdf_icon

VEC2315

Ordering number EN8699A VEC2315 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 2.5A, 137m , Dual VEC8 Features ON-resistance RDS(on)1=105m (typ.) 4V drive High-density mounting Protection diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS -

Другие IGBT... SM8008NSU, SM8206ACT, MPF6659, MPF6660, MPF6661, MPF930, MPF960, MPF990, AO4468, VEC2616, VN0104N2, VN0104N3, VN0104N5, VN0104N6, VN0104N7, VN0104N9, VN0104ND