VEC2616 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VEC2616
Código: UP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: VEC8
Búsqueda de reemplazo de VEC2616 MOSFET
VEC2616 Datasheet (PDF)
vec2616.pdf

Ordering number : ENA1822AVEC2616Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 3A, 80m , 60V, 2.5A, 137m , Complementary Dual VEC8Features ON-resistance Nch: RDS(on)1=62m (typ.), Pch: RDS(on)1=105m (typ.) 4V drive N-channel MOSFET + P-channel MOSFET Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CP
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: MTN4N60J3 | BUZ60 | APT20M22B2VFR | FTK3341L | FDMS7570S
History: MTN4N60J3 | BUZ60 | APT20M22B2VFR | FTK3341L | FDMS7570S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
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