VEC2616 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VEC2616
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Encapsulados: VEC8
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VEC2616 datasheet
vec2616.pdf
Ordering number ENA1822A VEC2616 Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 3A, 80m , 60V, 2.5A, 137m , Complementary Dual VEC8 Features ON-resistance Nch RDS(on)1=62m (typ.), Pch RDS(on)1=105m (typ.) 4V drive N-channel MOSFET + P-channel MOSFET Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C P
Otros transistores... SM8206ACT , MPF6659 , MPF6660 , MPF6661 , MPF930 , MPF960 , MPF990 , VEC2315 , IRF730 , VN0104N2 , VN0104N3 , VN0104N5 , VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 .
History: JFAM20N50D | CSD17556Q5B
History: JFAM20N50D | CSD17556Q5B
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