Справочник MOSFET. VEC2616

 

VEC2616 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VEC2616
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: VEC8
 

 Аналог (замена) для VEC2616

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VEC2616 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  onsemi
 vec2616.pdf pdf_icon

VEC2616

Ordering number : ENA1822AVEC2616Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 3A, 80m , 60V, 2.5A, 137m , Complementary Dual VEC8Features ON-resistance Nch: RDS(on)1=62m (typ.), Pch: RDS(on)1=105m (typ.) 4V drive N-channel MOSFET + P-channel MOSFET Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CP

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FK14SM-12 | CM6N40 | FQI27N25TUF085 | IRLS520A

 

 
Back to Top

 


 
.