VN0106N7 Todos los transistores

 

VN0106N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN0106N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: C-DIP

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VN0106N7 datasheet

 8.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdf pdf_icon

VN0106N7

 8.2. Size:587K  supertex
vn0106.pdf pdf_icon

VN0106N7

Supertex inc. VN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

 9.1. Size:588K  supertex
vn0104.pdf pdf_icon

VN0106N7

Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

Otros transistores... VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , IRF1404 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 .

History: BRD4N65 | VS40200AT | VN10KLS | BRD4N60 | WSD3020DN | VS150N08BT | 2SJ451

 

 

 

 

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