Справочник MOSFET. VN0106N7

 

VN0106N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0106N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: C-DIP
 

 Аналог (замена) для VN0106N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0106N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  njs
 vn0104n2 vn0104n3 vn0104n5 vn0104n6 vn0104n7 vn0104n9 vn0104nd vn0106n2 vn0106n3 vn0106n5 vn0106n6 vn0106n7 vn0106n9 vn0106nd vn0109n2 vn0109n3 vn0109n5 vn0109n9 vn0109nd.pdf pdf_icon

VN0106N7

 8.1. Size:51K  njs
 zvn0106a.pdf pdf_icon

VN0106N7

 8.2. Size:587K  supertex
 vn0106.pdf pdf_icon

VN0106N7

Supertex inc. VN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

 9.1. Size:588K  supertex
 vn0104.pdf pdf_icon

VN0106N7

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VN0104N6 , VN0104N7 , VN0104N9 , VN0104ND , VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , IRF1404 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 .

History: ATP405 | 2SJ75

 

 
Back to Top

 


 
.