VN0109N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0109N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de VN0109N3 MOSFET
VN0109N3 Datasheet (PDF)
vn0109.pdf
Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power
vn0104.pdf
Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power
Otros transistores... VN0106N2 , VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , 10N60 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND .
History: BUZ906DP
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