Справочник MOSFET. VN0109N3

 

VN0109N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0109N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN0109N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:576K  supertex
vn0109.pdfpdf_icon

VN0109N3

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0109N3

 9.2. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0109N3

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: VN0660N3 | IPP65R660CFDA | FRS440H | IPS050N03L | IRFI3710 | IPW65R110CFD

 

 
Back to Top

 


 
.