VN0109N9 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0109N9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO-52
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VN0109N9 datasheet
vn0109.pdf
Supertex inc. VN0109 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon-gate Low power drive requirement manufacturing process. This combination produces a device with Ease of paralleling the power
vn0104.pdf
Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power
Otros transistores... VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , IRFB4227 , VN0109ND , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 .
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