Справочник MOSFET. VN0109N9

 

VN0109N9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0109N9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-52
 

 Аналог (замена) для VN0109N9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109N9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  njs
 vn0104n2 vn0104n3 vn0104n5 vn0104n6 vn0104n7 vn0104n9 vn0104nd vn0106n2 vn0106n3 vn0106n5 vn0106n6 vn0106n7 vn0106n9 vn0106nd vn0109n2 vn0109n3 vn0109n5 vn0109n9 vn0109nd.pdf pdf_icon

VN0109N9

 8.1. Size:576K  supertex
 vn0109.pdf pdf_icon

VN0109N9

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
 zvn0106a.pdf pdf_icon

VN0109N9

 9.2. Size:588K  supertex
 vn0104.pdf pdf_icon

VN0109N9

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , AON6414A , VN0109ND , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 .

History: JMTL3416KS | VN0300

 

 
Back to Top

 


 
.