VN0109ND Todos los transistores

 

VN0109ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0109ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: DICE
     - Selección de transistores por parámetros

 

VN0109ND Datasheet (PDF)

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VN0109ND

 8.1. Size:576K  supertex
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VN0109ND

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
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VN0109ND

 9.2. Size:588K  supertex
 vn0104.pdf pdf_icon

VN0109ND

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

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History: UTT30P06G-TQ2-T | IRFU7440PBF | STI18N65M5 | IPB65R115CFD7A | AO6402A | HSP6024A | NCE3407AY

 

 
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