VN0109ND - описание и поиск аналогов

 

VN0109ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN0109ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: DICE

Аналог (замена) для VN0109ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109ND даташит

 ..1. Size:62K  njs
 vn0104n2 vn0104n3 vn0104n5 vn0104n6 vn0104n7 vn0104n9 vn0104nd vn0106n2 vn0106n3 vn0106n5 vn0106n6 vn0106n7 vn0106n9 vn0106nd vn0109n2 vn0109n3 vn0109n5 vn0109n9 vn0109nd.pdf pdf_icon

VN0109ND

 8.1. Size:576K  supertex
 vn0109.pdf pdf_icon

VN0109ND

Supertex inc. VN0109 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon-gate Low power drive requirement manufacturing process. This combination produces a device with Ease of paralleling the power

 9.1. Size:51K  njs
 zvn0106a.pdf pdf_icon

VN0109ND

 9.2. Size:588K  supertex
 vn0104.pdf pdf_icon

VN0109ND

Supertex inc. VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon- Low power drive requirement gate manufacturing process. This combination produces a Ease of paralleling device with the power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , IRF3710 , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 , VN0360N1 .

History: IRF8714G | 2SK580L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.