VN0300L Todos los transistores

 

VN0300L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN0300L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-92

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VN0300L datasheet

 ..1. Size:340K  supertex
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VN0300L

VN0300 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdown a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power handling capab

 0.1. Size:54K  motorola
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VN0300L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by VN0300L/D TMOS FET Transistor VN0300L 3 DRAIN N Channel Enhancement Motorola Preferred Device 2 GATE 1 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDSS 60 V 1 2 3 Drain Gate Voltage VDGR 60 V Gate Source Voltage CASE 29 04, STYLE 22 Continuous VGS 20 Vdc TO 92 (TO

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History: IRFB4610 | SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1

 

 

 

 

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