VN0300L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VN0300L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
tonⓘ - Время включения: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-92
VN0300L Datasheet (PDF)
vn0300 vn0300 vn0300l.pdf
VN0300N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdowna vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power handling capab
vn0300l.rev1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN0300L/DTMOS FET TransistorVN0300L3 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 V 123DrainGate Voltage VDGR 60 VGateSource VoltageCASE 2904, STYLE 22 Continuous VGS 20 VdcTO92 (TO
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F