VN0300L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VN0300L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
ton ⓘ - Время включения: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VN0300L
VN0300L Datasheet (PDF)
vn0300 vn0300 vn0300l.pdf

VN0300N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdowna vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power handling capab
vn0300l.rev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN0300L/DTMOS FET TransistorVN0300L3 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 V 123DrainGate Voltage VDGR 60 VGateSource VoltageCASE 2904, STYLE 22 Continuous VGS 20 VdcTO92 (TO
Другие MOSFET... VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 , IRFB4110 , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND .
History: STH45N10FI | AP10N70W | STH26N25
History: STH45N10FI | AP10N70W | STH26N25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTLA3134K | JMTLA2N7002KS | JMTL850P04A | JMTL400N04A | JMTL3N10A | JMTL3416KS | JMTL3415KL | JMTL3407A | JMTL3406A | JMTL3404B | JMTL3404A | JMTL3402A | JMTL3401B | JMTL3400L | JMTL3400A | JMTC80N06A
Popular searches
tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor