VN0660N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VN0660N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN0660N3

VN0660N3 Datasheet (PDF)

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vn0660n3 vn0660n5.pdf

VN0660N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660NDMIL visual screening available7Features Advanced DMOS TechnologyNot recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdownThese enhancement-mode

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Liste

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