VN0660N3 Todos los transistores

 

VN0660N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0660N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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VN0660N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  supertex
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VN0660N3

VN0660N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660NDMIL visual screening available7Features Advanced DMOS TechnologyNot recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdownThese enhancement-mode

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History: BR4N60 | STF2454A

 

 
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