VN0660N3 - описание и поиск аналогов

 

VN0660N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN0660N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VN0660N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0660N3 даташит

 ..1. Size:30K  supertex
 vn0660n3 vn0660n5.pdf pdf_icon

VN0660N3

VN0660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information Order Number / Package BVDSS /RDS(ON) ID(ON) BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die 600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660ND MIL visual screening available 7 Features Advanced DMOS Technology Not recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdown These enhancement-mode

Другие MOSFET... VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , IRF9540N , VN0660N5 , VN0808 , VN10K , VN10KCSM4 , VN10K-TO18 , VN10LE , VN10LLS , VN10LM .

History: DMN2041L | SM4303PSU | J175 | 2SK4078B-ZK | SM1A30NSU | DMN67D8L | AO3419L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.