Справочник MOSFET. VN0660N3

 

VN0660N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0660N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN0660N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0660N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  supertex
 vn0660n3 vn0660n5.pdf pdf_icon

VN0660N3

VN0660N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-92 TO-220 Die600V 20 0.25A VN0660N3 VN0660N5 VN0660NDMIL visual screening available7Features Advanced DMOS TechnologyNot recommended for new designs. Please use VN2460 instead. Free from secondary breakdownThese enhancement-mode

Другие MOSFET... VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , IRF1010E , VN0660N5 , VN0808 , VN10K , VN10KCSM4 , VN10K-TO18 , VN10LE , VN10LLS , VN10LM .

History: NTR4503N

 

 
Back to Top

 


 
.