VN0808 Todos los transistores

 

VN0808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN0808
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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VN0808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  supertex
 vn0808.pdf pdf_icon

VN0808

Supertex inc. VN0808N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

 0.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf pdf_icon

VN0808

VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/

Otros transistores... VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , VN0660N3 , VN0660N5 , 5N60 , VN10K , VN10KCSM4 , VN10K-TO18 , VN10LE , VN10LLS , VN10LM , VN1206 , VN1304 .

History: SVS70R600FJHE3 | OSG65R460AZF | AOI1R4A70 | HM2809D | S60N18RP | SIHFI614G | STW18NM60ND

 

 
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