VN0808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN0808
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Tiempo de encendido (ton): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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VN0808 Datasheet (PDF)
vn0808.pdf
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vn0808l-ls vq1006p.pdf
VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/
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