VN0808 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN0808

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-92

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VN0808 datasheet

 ..1. Size:544K  supertex
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VN0808

Supertex inc. VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power h

 0.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf pdf_icon

VN0808

VN0808L/LS, VQ1006P Vishay Siliconix N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.3 80 VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/

Otros transistores... VN0360N5, VN0360ND, VN0550, VN0605T, VN0606, VN0610LL, VN0660N3, VN0660N5, IRLB4132, VN10K, VN10KCSM4, VN10K-TO18, VN10LE, VN10LLS, VN10LM, VN1206, VN1304