VN0808. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN0808

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VN0808

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0808 даташит

 ..1. Size:544K  supertex
 vn0808.pdf pdf_icon

VN0808

Supertex inc. VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power h

 0.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf pdf_icon

VN0808

VN0808L/LS, VQ1006P Vishay Siliconix N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.3 80 VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/

Другие IGBT... VN0360N5, VN0360ND, VN0550, VN0605T, VN0606, VN0610LL, VN0660N3, VN0660N5, IRLB4132, VN10K, VN10KCSM4, VN10K-TO18, VN10LE, VN10LLS, VN10LM, VN1206, VN1304