Справочник MOSFET. VN0808

 

VN0808 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0808
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN0808

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  supertex
 vn0808.pdf pdf_icon

VN0808

Supertex inc. VN0808N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

 0.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf pdf_icon

VN0808

VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/

Другие MOSFET... VN0360N5 , VN0360ND , VN0550 , VN0605T , VN0606 , VN0610LL , VN0660N3 , VN0660N5 , 5N60 , VN10K , VN10KCSM4 , VN10K-TO18 , VN10LE , VN10LLS , VN10LM , VN1206 , VN1304 .

History: IPU95R450P7 | NCE60H15AD | VBM17R10 | CS7N70F

 

 
Back to Top

 


 
.