VN2210N3 Todos los transistores

 

VN2210N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN2210N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

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VN2210N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:650K  supertex
vn2210.pdf

VN2210N3
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Supertex inc. VN2210N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VN2210 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produ

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