Справочник MOSFET. VN2210N3

 

VN2210N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN2210N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN2210N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2210N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:650K  supertex
 vn2210.pdf pdf_icon

VN2210N3

Supertex inc. VN2210N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VN2210 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produ

Другие MOSFET... VN10LM , VN1206 , VN1304 , VN1306 , VN1310 , VN2106 , VN2110 , VN2210N2 , IRLZ44N , VN2222KM , VN2222LLG , VN2222LM , VN2224 , VN2406 , VN2406D , VN2406L , VN2410 .

History: DMN3025LFG | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | MPSU65M390 | CS10N65FA9HD | FHD2N65A | OSG65R460PZF

 

 
Back to Top

 


 
.