VN2210N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN2210N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VN2210N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2210N3 даташит

 8.1. Size:650K  supertex
 vn2210.pdf pdf_icon

VN2210N3

Supertex inc. VN2210 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VN2210 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing Ease of paralleling process. This combination produ

Другие IGBT... VN10LM, VN1206, VN1304, VN1306, VN1310, VN2106, VN2110, VN2210N2, AON6380, VN2222KM, VN2222LLG, VN2222LM, VN2224, VN2406, VN2406D, VN2406L, VN2410