VN2450N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN2450N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN2450N3
VN2450N3 Datasheet (PDF)
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vn2450.pdf
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Supertex inc. VN2450N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed
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