VN2450N3 - описание и поиск аналогов

 

VN2450N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN2450N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VN2450N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2450N3 даташит

 8.1. Size:699K  supertex
 vn2450.pdf pdf_icon

VN2450N3

Supertex inc. VN2450 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed

Другие MOSFET... VN2224 , VN2406 , VN2406D , VN2406L , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , IRF1407 , VN2460N8 , VN2460N3 , SM8206AO , SM8A01NSW , SM8A02NSF , SM8A02NSFP , SM8A02NSW , SM8A03NSW .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.