VN2460N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN2460N8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de VN2460N8 MOSFET
VN2460N8 Datasheet (PDF)
vn2460.pdf

Supertex inc. VN2460N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed
Otros transistores... VN2406 , VN2406D , VN2406L , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , VN2450N3 , 5N65 , VN2460N3 , SM8206AO , SM8A01NSW , SM8A02NSF , SM8A02NSFP , SM8A02NSW , SM8A03NSW , SM8A04NSF .
History: 20N06L-TO252 | AO3402A | APT19M120J | TPC8060-H | IRF3205SPBF | 2N3458
History: 20N06L-TO252 | AO3402A | APT19M120J | TPC8060-H | IRF3205SPBF | 2N3458



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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