VN2460N8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VN2460N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
Аналог (замена) для VN2460N8
VN2460N8 Datasheet (PDF)
vn2460.pdf
Supertex inc. VN2460N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed
Другие MOSFET... VN2406 , VN2406D , VN2406L , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , VN2450N3 , 2SK3568 , VN2460N3 , SM8206AO , SM8A01NSW , SM8A02NSF , SM8A02NSFP , SM8A02NSW , SM8A03NSW , SM8A04NSF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018


