VN2460N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN2460N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для VN2460N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2460N8 даташит

 8.1. Size:700K  supertex
 vn2460.pdf pdf_icon

VN2460N8

Supertex inc. VN2460 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed

Другие IGBT... VN2406, VN2406D, VN2406L, VN2410, VN2410L, VN2410LS, VN2450N8, VN2450N3, 2SK3568, VN2460N3, SM8206AO, SM8A01NSW, SM8A02NSF, SM8A02NSFP, SM8A02NSW, SM8A03NSW, SM8A04NSF