SM9A01NSF Todos los transistores

 

SM9A01NSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM9A01NSF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SM9A01NSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  sino
 sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf pdf_icon

SM9A01NSF

SM9A01NSF/SM9A01NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and RuggedS SD DG G Avalanche RatedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power

Otros transistores... SM8A04NSFP , SM8A04NSU , SM8A05NSF , SM8A05NSFP , SM9188DSO , SM9988CO , SM9989DSQG , SM9993DSQG , IRF730 , SM9A01NSFP , SMC2333 , SMC2342A , SMC2360 , SMC3054 , SMC3056 , SMC3400 , SMC3401 .

History: PE5E4BA | IRF2907ZS-7P

 

 
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