SM9A01NSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM9A01NSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 56 nC
Tiempo de elevación (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 950 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM9A01NSF
SM9A01NSF Datasheet (PDF)
1.1. sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf 
Size:272K _update_mosfet
SM9A01NSF/SM9A01NSFP ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S S D D G G Avalanche Rated Top View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications G AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
