SM9A01NSF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM9A01NSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de SM9A01NSF MOSFET
Principales características: SM9A01NSF
sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf
SM9A01NSF/SM9A01NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S S D D G G Avalanche Rated Top View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications G AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power
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Liste
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