Справочник MOSFET. SM9A01NSF

 

SM9A01NSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM9A01NSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SM9A01NSF

 

 

SM9A01NSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  sino
 sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf

SM9A01NSF SM9A01NSF

SM9A01NSF/SM9A01NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and RuggedS SD DG G Avalanche RatedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top