SM9A01NSFP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM9A01NSFP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de SM9A01NSFP MOSFET
SM9A01NSFP Datasheet (PDF)
sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf

SM9A01NSF/SM9A01NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and RuggedS SD DG G Avalanche RatedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power
Otros transistores... SM8A04NSU , SM8A05NSF , SM8A05NSFP , SM9188DSO , SM9988CO , SM9989DSQG , SM9993DSQG , SM9A01NSF , IRFZ48N , SMC2333 , SMC2342A , SMC2360 , SMC3054 , SMC3056 , SMC3400 , SMC3401 , SMC3407 .
History: APT66F60L | OSG65R580KF | AP9467AGM-HF | 2SK529 | BUK7213-40A | HM2N10MR | CED6056
History: APT66F60L | OSG65R580KF | AP9467AGM-HF | 2SK529 | BUK7213-40A | HM2N10MR | CED6056



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet