SM9A01NSFP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM9A01NSFP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 34.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 56 nC

Tiempo de elevación (tr): 29 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 950 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220FP

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SM9A01NSFP Datasheet (PDF)

1.1. sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf Size:272K _update_mosfet

SM9A01NSF/SM9A01NSFP ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S S D D G G Avalanche Rated Top View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications G AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power

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Liste

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