Справочник MOSFET. SM9A01NSFP

 

SM9A01NSFP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM9A01NSFP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SM9A01NSFP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM9A01NSFP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  sino
 sm9a01nsf sm9a01nsfp.pdf pdf_icon

SM9A01NSFP

SM9A01NSF/SM9A01NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 900V/12A, RDS(ON)= 0.48 (max.) @ VGS= 10V Reliable and RuggedS SD DG G Avalanche RatedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF1010ESPBF

 

 
Back to Top

 


 
.