SMC3535 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC3535

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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SMC3535 datasheet

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SMC3535

SMC3535 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3535 is the P-Channel logic enhancement -30V/-5.8A, RDS(ON) =47m (typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-4.0A, RDS(ON) =54m (typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m (typ.)@VGS =-2.5V provide exce

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