SMC3535 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC3535
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de SMC3535 MOSFET
SMC3535 Datasheet (PDF)
smc3535.pdf

SMC3535 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3535 is the P-Channel logic enhancement -30V/-5.8A, RDS(ON) =47m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-4.0A, RDS(ON) =54m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce
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History: CPC3730C | H5N2505DS | AP2R803GM-HF | WVM8N20 | AM1432NE
History: CPC3730C | H5N2505DS | AP2R803GM-HF | WVM8N20 | AM1432NE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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