SMC3535 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC3535
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC3535

SMC3535 Datasheet (PDF)

..1. Size:383K semtron
smc3535.pdf

SMC3535 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3535 is the P-Channel logic enhancement -30V/-5.8A, RDS(ON) =47m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-4.0A, RDS(ON) =54m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce

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Liste

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